9月26日，华灿光电在深圳前海万豪酒店举行新Mini LED新品发布会暨微显示战略合作签约仪式，发布了新一代Mini LED芯片产品，并且介绍了华灿光电在微显示领域的技术进展以及未来的技术布局。

　　发布会现场

　　华灿光电董事长俞信华

　　根据LEDinside*新数据，当下，随着小间距显示市场的飞速发展以及对显示技术要求越来越高，Mini LED和Micro LED技术在显示领域的优势引起业内持续关注。Mini LED显示将应用于电视、手机、车载显示、数字显示(商业广告与显示等)，预估2025年市场规模为10.7亿美金。2023年，预期采用Mini LED背光的TV背板市值将达到82亿美金，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。

　　作为国内行业规模第二的LED芯片企业，华灿光电一直以来关注并钻研LED外延片及芯片技术的发展趋势，对Mini LED和Micro LED技术很早就进行了布局，并取得了实质性进展。

　　此次，华灿光电发布了背光用Mini LED芯片及Mini RGB LED芯片新品。

　　RGB Mini LED芯片技术优化方面，华灿设计了高可靠性、高亮度的DBR倒装芯片结构。通过优化PV和Mesa刻蚀工艺，使金属连接层平滑覆盖;优化了电极结构和金属沉积工艺，设计出高可靠性的电极;并且，通过特有的混编技术，可以消除COB应用情况下的Mura效应。此外，随着芯片尺寸的持续减小，免锡膏封装芯片方案将成为提高良率、降低成本的关键，对此华灿光电已实现了将锡球直接制作在Mini LED芯片电极上的技术应用。在红光Mini LED芯片技术方面，华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺;并设计了顶伤防护层，优化材料沉积工艺，增强膜质，**无外延顶伤风险。在背光Mini LED芯片技术方面，华灿优化了膜层结构设计，调节芯片出光，更易实现超薄设计。

　　外延材料、芯片工艺、巨量转移的良率将极大影响Micro LED的制造成本和修复成本，从而决定Micro LED在不同终端上的应用。在Micro LED外延技术方面，波长均匀性提升、particle控制以及更大尺寸外延片生产等方面取得了较大的进展，目前所获得的大尺寸外延片具有业界*的波长均匀性和较低的表面缺陷密度，为实现更有成本竞争力的Micro LED显示技术打下了良好的基础。在Micro LED芯片技术方面，华灿在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术(批量芯片转移)、阵列键合技术(阵列转移键合)、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。目前所获得的的芯片良率可以达到5个9的水平，红光Micro LED效率也到达了国际*水平，并针对不同转移方式，可以提供多种形式的Micro LED样品。

　　据介绍，华灿光电Mini RGB芯片早已批量出货，并以高稳定性能获得客户好评，当前阶段5*10为量产主力，Q4量产4*8，3*6将在2020 Q1量产;Mini BLU产品也与终端客户进行战略合作，研发进度亦在稳步向前推进。在Micro LED技术方面，华灿光电在该领域的布局中也走在前面，和国内外重点客户的联合开发在稳步推进中。

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